| Ciclo Lectivo: 2023 – 1er Cuatrimestre | Horas Cátedra: 96 hs – Presenciales |
| Se Cursa: 2 veces por semana | Jueves de 19:10 a 22:00 y Viernes de 20:40 a 22:00 hs |
| Comienza: 16/03/2023 | Finaliza: 07/07/2023 |
| Sede: Caballito – Av. Rivadavia 6028 – CABA | Se Entrega Certificado |
| Inscripción: $ 5.000 | 4 Cuotas de $ 5.000 |
FINALIDAD DEL CURSO
El curso Dispositivos Electrónicos pertenece al bloque de formación específica dentro del Diseño Curricular. El mismo, introduce al alumno/a en el estudio de los componentes electrónicos y sus características. Proporciona los fundamentos para encarar el análisis de los circuitos electrónicos.
OBJETIVOS:
Que el alumno/a:
• Reconozca el proceso de la física de los semiconductores.
• Comprenda los procesos de semiconductores en la unión NPN del transistor bipolar y las características de entrada y salida resultantes.
• Conozca la operación y aplicación de los FET.
• Interprete las características y el funcionamiento de los dispositivos de control.
SECUENCIA DE CONTENIDOS DETALLADOS:
UNIDAD I: Física del semiconductor, materiales tipo P y N; características, portadores mayoritarios y minoritarios, concentraciones de portadores. Junturas, distintos tipos. Carga, campo eléctrico y potencial en una juntura.
UNIDAD II: Juntura PN, características, diagrama de bandas. Efecto avalancha, efecto Zener. Diodo sólido, curvas y características, potencia disipada, tensión inversa máxima, corriente directa máxima. Diodo Zener, características. Diodo LED, características. Diodo varactor, características.
UNIDAD III: Aplicaciones del diodo. Rectificación y filtrado, fuente de alimentación no regulada. Problema de diseño, ruido, ejemplos de uso de curvas de Shade. Regulares, uso del diodo Zener, recta de carga, variación de zumbido con r z
UNIDAD IV: Estructuras PNP y NPN. Diagramas de carga, campo eléctrico y potenciales. Teoría de funcionamiento del transistor bipolar. Curvas características de transistores bipolares, distintos tipos de conexión, parámetros y . Fototransistores, curvas características.
UNIDAD V: Polarización, su necesidad. Circuitos típicos, estabilidad térmica. Recta de carga en corriente continua. Superposición de corriente alterna, variaciones del punto Q. Funcionamiento en corriente alterna. Recta de carga estática y dinámica. Desacoplamiento de CC. Definiciones básicas sobre amplificadores, clase A, B y C.
UNIDAD VI: Cuadripolo h del transistor, parámetros, su cálculo sobre las curvas de entrada y salida del transistor. Cuadripolo Y del transistor, parámetros. Modelos equivalentes, variación de los parámetros con la polarización, la frecuencia y la temperatura.
UNIDAD VII: Ejemplo de uso de los parámetros del transistor, amplificadores de pequeña señal, su cálculo con modelos h e Y. Cálculo de amplificaciones de tensión y corriente, impedancia de entrada y salida. Ejercicios sobre amplificadores de AF. Ejercicios sobre fuentes reguladas discretas y CI. Fuentes conmutadas, tipos, funcionamiento, descripción.
UNIDAD VIII: Teorías de transistores de efecto de campo, FET, MOSFET, circuitos equivalentes, valores típicos, ejemplos de uso. Dispositivos de disparo controlado, estructuras PNPN. Tiristores, fototiristores, Triac, G.O.T. Curvas características, limitaciones en potencia y frecuencia, auto disparo, dV ; dI
UNIDAD IX: Dispositivos de disparo, transistor unijuntura, DIAC, dispositivos ópticos de control. Circuitos típicos de disparo. Disparo en fase. Control por rampa y pedestal. Circuitos integrados para cumplir la función de disparo.
METODOLOGIA Y ACTIVIDADES:
Se dictarán clases teóricas complementadas con la resolución de problemas. El grado de complejidad de los ejercicios se incrementará a lo largo del curso.
Los alumnos/as presentarán informes sobre temas que relacionen los trabajos propios de la profesión con los temas estudiados en clase, la selección de dispositivos para circuitos específicos será considerada de gran importancia.